Nagpakilala ng bagong disenyo ng semiconductor sila Dr. Cyril Salang ng Materials Science and Engineering Program (MSEP), kasama sina Dr. Arnel Salvador, Dr. Armando Somintac, at Dr. Elmer Estacio ng National Institute of Physics (NIP), at Dr. Joselito Muldera ng RIKEN (ang RIKEN ay isang pambansang institusyong pang-agham sa Japan). Tampok ng bagong disenyo ang isang substrate, isang buffer layer at isang epitaxial layer sa ibabaw. Ang epitaxial layer ay isang manipis na layer ng kristal.

Ang katangi-tangi sa kanilang disenyo ay ang paggamit ng isang “mismatched buffer layer” na isang materyal na may atomic structure (o lattice constant) na ibang-iba kumpara sa substrate sa ibaba at itaas ng epitaxial layer. Bagama’t karaniwang nagdudulot ng mga depekto o mahinang performance ang mismatches, nakakagulat na ang kombinasyong ito ay nakabuo ng mga layers na mataas ang kalidad, at kasing husay o mas mahusay pa sa mga tradisyunal na materyales na ginagamit sa THz emitters.

Nagdagdag din sila ng “growth-interrupted  region” at isang superlattice, isang istrukturang gawa sa pinagpatong-patong na mga manipis na layer, para palakasin ang kapit sa pagitan ng mga sangkap kahit na may lattice mismatch. Isang layer ng p-type indium arsenide (p-InAs) ay pinatubo sa ibabaw ng isang superlattice, na siya naming dineposito sa taas ng pangunahing buffer layer na siya naming nasa itaas ng isang “growth-interrupted region” sa itaas ng isang murang substrate, gallium antimonide (n-GaSb).

Nagpakita ng kahanga-hangang resulta ang imbensyon na ito sa mga test. Ang performance nito ay katulad ng tradisyunal na bulk materials kapag gumagamit ng 0.80 μm laser, at mas mahusay pa kapag gumamit ng 1.55 μm fiber laser. Lumalabas na mas mura at praktikal para sa karaniwang paggamit ang imbensyon nila kaya’t maaari itong maging game-changer para sa THz-TDS systems.

Ibinahagi ni Dr. Salang na umabot ng labing isang taon mula sa unang idea noong 2013 hanggang sa pagbigay ng patent noong 2024.  “Na-publish ang aking papel noong 2015, na sinundan ng isang invention disclosure sa parehong taon. Sa tulong ng UP Diliman Office of the Vice Chancellor for Research and Development (OVCRD), naisumite ang aplikasyon para sa patent noong Pebrero 2016 at opisyal na naaprubahan noong 2024,” aniya.

Sa pagkakaloob ng bagong patent, mas malakas na ang posisyon ng pangkat nila Dr. Salang upang makapag-ambag sa lumalaking industriya ng Terahertz. “Ang pagtanggap ng isang pambansang patent ay nangangahulugan na kinikilala ang orihinalidad ng aming trabaho. Hinihikayat ako nitong magpatuloy sa paggawa ng mga bagong inobasyon,” dagdag niya.